氧化反应式石墨烯透明导电膜基材预处理方法
基本信息
申请号 | CN201711406302.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109957132A | 公开(公告)日 | 2019-07-02 |
申请公布号 | CN109957132A | 申请公布日 | 2019-07-02 |
分类号 | C08J7/12(2006.01)I; C08J7/04(2006.01)I; C09D127/18(2006.01)I; C09D133/04(2006.01)I; C09D175/14(2006.01)I; C09D183/04(2006.01)I; H01B13/00(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物; |
发明人 | 王昉; 余政霖; 徐化力; 蒋彦; 吴德操; 彭格; 王永禄; 冉超志; 钟朝伦; 王珩; 刘先康; 吴至一; 王子猷 | 申请(专利权)人 | 重庆元石盛石墨烯薄膜产业有限公司 |
代理机构 | 重庆博凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 重庆元石盛石墨烯薄膜产业有限公司 |
地址 | 400030 重庆市沙坪坝区西园北街14号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种氧化反应式石墨烯透明导电膜基材预处理方法,其特征在于,使薄膜基材表面进行氧化反应而增加极性基团数量,实现薄膜基材表面预处理。还公开了采用了上述预处理方法的一种卷对卷石墨烯透明导电膜连续制备方法。本发明利用了表面氧化反应原理实现透明薄膜基材的表面预处理,具有实施简单,操作方便,利于控制,预处理效果好效率高,能够提高薄膜基材后续功能层的附着效果等优点。 |
