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线性薄膜磁阻传感器

基本信息

申请号 CN201210205416.8 申请日 -
公开（公告）号 CN102680009A 公开（公告）日 2015-08-05
申请公布号 CN102680009A 申请公布日 2015-08-05
分类号 G01D5/12 分类 测量；测试;
发明人 王建国 申请（专利权）人 宁波希磁电子科技有限公司
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 代理人 曹祖良
地址 214028江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区204室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种线性薄膜磁阻传感器，其包括种子层；参考层，位于种子层上，具有第一磁矩；非磁性隔离层，位于所述参考层上，将参考层与磁性自由层隔离；磁性自由层，位于非磁性隔离层上，具有第二磁矩，所述第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，且第二磁矩的方向与第一磁矩的方向相互垂直。本发明由于磁性自由层的第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，磁性自由层在平行于膜面的方向表现出极低的磁滞，并且较低的饱和场，使得形成磁阻传感器具有较高的灵敏度；还能形成带聚磁环的闭环电流传感器和不带聚磁环的开环电流传感器，磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好。