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具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器

基本信息

申请号 CN201210205370.X 申请日 -
公开（公告）号 CN102692242B 公开（公告）日 2015-02-25
申请公布号 CN102692242B 申请公布日 2015-02-25
分类号 G01D5/12 分类 测量；测试;
发明人 王建国 申请（专利权）人 宁波希磁电子科技有限公司
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 尉伟敏
地址 315299 浙江省宁波市镇海区中官路1188号10栋2楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种磁阻传感器，尤其是一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，属于半导体的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，包括衬底；磁阻传感器本体，位于衬底上，具有方向上相互垂直的第一磁矩与第二磁矩；聚磁层，位于衬底上方，与磁阻传感器本体绝缘隔离，并将待测量外磁场放大后作用于磁阻传感器本体上。本发明磁阻传感器本体上设置聚磁层，在聚磁层上方或下方设置电流导线，聚磁层能够将电流导线产生的感应磁场及待测外磁场进行放大，从而提高薄膜磁阻传感器的灵敏度及测量范围；精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好。