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一种光敏电容器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111311481.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113903820A	公开（公告）日	2022-01-07
申请公布号	CN113903820A	申请公布日	2022-01-07
分类号	H01L31/0264（2006.01）I;H01L31/08（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	朱少敏;刘春燕	申请（专利权）人	鹏盛国能（深圳）新能源集团有限公司
代理机构	深圳深知通专利代理事务所（普通合伙）	代理人	高真辉
地址	518000广东省深圳市南山区南山街道南山社区南新路阳光科创中心二期B座1511
法律状态	-

摘要

本发明属于电容器技术领域，具体涉及一种光敏电容器及其制备方法，所述光敏电容器包括上层板、上电极、CuWO4‑TiO2介电层、下电极、下层板和导电线，所述下层板设置在下电极的下部，所述上层板设置在上电极的上部，所述CuWO4‑TiO2介电层位于上电极和下电极之间，所述导线设置有两根，分别连接上电极和下电极，所述CuWO4‑TiO2介电层是在二氧化钛薄膜正反两面与CuWO4烧结得到的，本发明通过CuWO4对金红石二氧化钛进行改性复合作为介电层，CuWO4与金红石二氧化钛之间形成了稳定的晶界面，CuWO4上入射的可见光的光子能够激发电子后产生的空穴，诱导金红石二氧化钛产生小极化子，保持了较高的介电常数，使得该光敏电容器能够有效利用太阳光进行电容的调控。