一种GaNHEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种GaNHEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法

基本信息

申请号	CN202210195724.0	申请日	-
公开（公告）号	CN114564907A	公开（公告）日	2022-05-31
申请公布号	CN114564907A	申请公布日	2022-05-31
分类号	G06F30/367（2020.01）I;H01L29/778（2006.01）I	分类	计算；推算；计数;
发明人	周琦;罗志华;党其亮;邓超;蔡永莲;母彧丞;张波	申请（专利权）人	电子科技大学广东电子信息工程研究院
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	611731四川省成都市高新西区西源大道2006号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法。本发明以薛定谔泊松方程、费米狄拉克统计为基础，考虑氮化镓HEMT器件高频、高漏源电压开关条件下阈值电压漂移，基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应，将器件阈值电压漂移模型构建为与器件漏源电压和器件开关频率相关，并基于此构建出可适用于不同漏源电压和开关频率下氮化镓高电子迁移率晶体管阈值电压及漏极电流的解析模型。本发明的GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型建立方法，解决了目前主流模型在电路仿真平台中无法预测GaN HEMT器件在不同频率不同漏源电压下的阈值电压漂移与电流崩塌现象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型对阈值电压及漏极电流的预测精度。