一种氮化镓3D-RESURF场效应晶体管及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种氮化镓3D-RESURF场效应晶体管及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110317473.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113078204B	公开（公告）日	2022-05-17
申请公布号	CN113078204B	申请公布日	2022-05-17
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	周琦;李翔宇;黄芃;陈匡黎;王景海;韩晓琦;张波	申请（专利权）人	电子科技大学广东电子信息工程研究院
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	611731四川省成都市高新西区西源大道2006号
法律状态	-

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n结，并通过器件阻断耐压时该p‑n结空间电荷区的耗尽与扩展在平行于栅宽方向引入电场强度分量，改变原有电场方向，使得栅极漏侧电场尖峰得到缓解，电场强度明显降低；同时，利用该p‑n结耗尽二维电子气，降低了器件漏电流，提高器件单位漂移区长度耐压能力。本发明通过在氮化镓HEMT器件中引入P型氮化镓—二维电子气p‑n结实现了一种不同于传统场板技术的新型电场调制方式，利用该新结构在提高器件击穿电压的同时降低了器件的导通电阻。