一种氮化镓P沟道器件
基本信息
| 申请号 | CN202210174673.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114551573A | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114551573A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/205（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周琦;蔡永莲;陈匡黎;王守一;衡姿余;李竞研;张波 | 申请（专利权）人 | 电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 611731四川省成都市高新西区西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种氮化镓P沟道器件（P‑MOSFET）。本发明中氮化镓P‑MOSFET的AlGaN势垒层具有渐变Al组分，利用渐变Al组分AlGaN势垒层和P‑GaN沟道层之间的极化效应，在P‑GaN/AlGaN异质结界面产生二维空穴气（2DHG），形成导电空穴沟道，从而形成氮化镓P‑MOSFET。本发明的有益效果：利用渐变Al组分AlGaN势垒层，可以通过调节渐变Al组分AlGaN势垒层中各层的Al组分调节AlGaN与P‑GaN沟道层之间的极化强度，从而调节极化产生的2DHG浓度、氮化镓P‑MOSFET的阈值电压和电流能力；同时，也可以通过调节AlGaN势垒层中各层的Al组分，调节AlGaN/GaN异质结界面二维电子气（2DEG）浓度，从而实现氮化镓P‑MOSFET和氮化镓N‑MOSFET的单片集成。 |
