一种用于半导体光刻胶的清洗方法

基本信息

申请号 CN202111391021.7 申请日 -
公开(公告)号 CN113970880A 公开(公告)日 2022-01-25
申请公布号 CN113970880A 申请公布日 2022-01-25
分类号 G03F7/42(2006.01)I 分类 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕;
发明人 薛弘宇;顾仁宝;李伟东;朱文健;余箫伟;魏韶华;陆子阳 申请(专利权)人 江苏凯威特斯半导体科技有限公司
代理机构 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 代理人 王清伟
地址 214000江苏省无锡市锡山经济技术开发区团结路31号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于半导体光刻胶的清洗方法,第一步:拆卸机台涂胶部件,在光刻胶周边区域铺上防渗漏高分子材料;第二步:将光刻胶剥离液倒入防渗漏材料圈起范围内以浸润光刻胶,软化表面;第三步:将表面软化的光刻胶去除;第四步:继续软化胶体;第五步:再次将软化的下层光刻胶去除;第六步:使用十六烷基二甲基苄基铵溶液将最底层的光刻胶浸泡擦除;第七步:使用超纯水去除残留化学品;第八步:使用高纯氮气吹扫整个热板部件。本发明主要解决热板上的残留光刻胶的清洗,可将涂胶部件从设备机台拆卸下来,针对涂胶部件上热板区域局部的光刻胶采取化学品浸泡。而无需将氧化铝陶瓷热板完全从涂胶部件拆卸,增加热板部件安装错误的风险。