基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910732617.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110444618B | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN110444618B | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张彦芳;程东;叶建东;巩贺贺;陈选虎;任芳芳;朱顺明;顾书林 | 申请（专利权）人 | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵艳平 |
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极‑半导体层‑金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。 |
