一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片
基本信息
| 申请号 | CN202110197141.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112834592A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112834592A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | G01N27/407 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 彭琛;雷运清 | 申请（专利权）人 | 成都能斯特新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州德伟专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄浩威;何文颖 |
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区尚阳路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片，包括第一膜片层、第五膜片层、第六膜片层和外电极，所述第一膜片层顶部通过丝网印刷安装有外电极，所述第一膜片层下方安装有第五膜片层，所述第五膜片层底部安装有第六膜片层，所述第一膜片层底部安装有稳定的第二膜片层，所述第二膜片层底部安装有第三膜片层，通过PVA涂布高阻隔薄膜的设置可以有效防止尾气中的水蒸气进入膜片内部，避免陶瓷芯片遇水热胀冷缩发生开裂，同时该膜片各个膜片层均为多孔结构，功能层之间界面结合为一体，在很大程度上提高了该氮氧传感器芯片的结构强度和稳定性，通过减少空腔的设置以及增加绝缘层的设置，使整个陶瓷芯片的稳定性和防漏电功能得到大大提高。 |
