一种取光率高的发光元件
基本信息
| 申请号 | CN202122063779.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216054762U | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN216054762U | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邝光宁;王派天;江仁杰;李志杰 | 申请（专利权）人 | 山西华晶恒基新材料有限公司 |
| 代理机构 | 太原达引擎专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 朱世婷 |
| 地址 | 030000山西省忻州市开发区半导体产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型为一种取光率高的发光元件，属于发光半导体领域；提出一种取光率高且整体品质优良的发光元件；技术方案为：一种取光率高的发光元件，包括：发光元件基板、金属反光层、第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第二电极；所述发光元件基板上端面设置有若干圆台凸起，圆台凸起上端面设置有中介层，所述中介层为若干微小凸起结构；若干圆台凸起之间的发光元件基板上端面设置有金属反光层；所述中介层上方依次磊晶成长第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一半导体层上还设置有第一电极,所述第二半导体层上还设置有第二电极。 |
