一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811408375.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109346405B | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN109346405B | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田媛;谢志坚;钟玉煌;王书宇;闫晓密;黄慧诗 | 申请（专利权）人 | 江苏星光恒辉半导体有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214192 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于SBD技术领域，提供一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法，包括如下步骤：制作AlGaN/GaN异质结外延层‑制作图形化的AlGaN层‑形成欧姆电极‑形成肖特基电极‑制作AlN绝缘介质层‑制作焊盘电极；本发明的SBD倒装芯片采用蓝宝石衬底，可降低芯片的制作成本，采用高热导率的AlN薄膜层作为绝缘层，大幅度改善了因蓝宝石衬底导热系数较低导致倒装SBD芯片的系统热阻过高的问题，满足大功率的应用需求。 |
