一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711052308.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107845710B | 公开（公告）日 | 2019-08-16 |
| 申请公布号 | CN107845710B | 申请公布日 | 2019-08-16 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜红苓;钟玉煌;田淑芬 | 申请（专利权）人 | 江苏星光恒辉半导体有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 江苏新广联半导体有限公司;江苏新广联科技股份有限公司 |
| 地址 | 214192 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法，包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，在蓝宝石衬底上依次覆盖有缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，其特征在于：所述有源区发光层包含若干对MQW阱层和垒层，且MQW阱层和垒层分别为InyGa1‑yN量子阱阱层和GaN垒层，其中，y的范围为0.1~0.3；本发明是以GaN基结构来生长红光外延片，其结构简单、原材料安全、工艺容易实现，安全可靠，有利于降低对人体的伤害和环境的污染。 |
