一种微型薄膜外延结构层转移方法
基本信息
申请号 | CN201711012018.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN107808911B | 公开(公告)日 | 2020-04-07 |
申请公布号 | CN107808911B | 申请公布日 | 2020-04-07 |
分类号 | H01L33/00;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 黄慧诗;张秀敏;田淑芬;贾美琳 | 申请(专利权)人 | 江苏星光恒辉半导体有限公司 |
代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 江苏新广联半导体有限公司 |
地址 | 214192 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种微型薄膜外延结构层转移方法,包括如下步骤:制作外延层‑制作磁性金属层‑制作粘合层‑形成外延层单元结构‑去除掩膜层‑转移到中转基板上‑剥离衬底‑转移到吸头上‑转移到基板上‑布线;本发明通过磁性中转基板和具有磁性的转移吸头,可以实现LED薄膜外延层周期性、批量化的转移至基板上,进一步实现单色、双色、全彩的柔性显示。 |
