一种用于LED的GaN深沟平坦化的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811408698.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109524524B | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN109524524B | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华斌;黄慧诗;闫晓密 | 申请（专利权）人 | 江苏星光恒辉半导体有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214192 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于LED芯片技术领域，提供一种用于LED的GaN深沟平坦化的制作方法，包括如下步骤：制作绝缘层‑制作锥形绝缘层‑生长外延层‑刻蚀外延层‑GaN深沟刻蚀‑制作绝缘介质层‑制作导电金属层；本发明通过在蓝宝石平片衬底上引入图形化的绝缘层，由于图形化的绝缘层易被刻蚀，使得当GaN深沟刻蚀时，通过干法刻蚀工艺即能实现GaN深沟内的平坦化，不仅能提升LED的亮度，而且极大提升了传统工艺膜层的均匀性，同时提升了器件的可靠性。 |
