一种γ相硒化铟的合成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910922320.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110482498A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN110482498A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | C01B19/04 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 张强;白平平;童培云;肖翀;赵宇飞;张绍桢 | 申请（专利权）人 | 先导薄膜材料有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 颜希文 |
| 地址 | 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种γ相硒化铟的合成方法。本发明采用两步法来合成γ相硒化铟，即先由单质硒和单质铟合成低硒的硒化物，再由低硒的硒化物与单质硒合成γ相硒化铟，避免了单质铟和单质硒直接合成硒化铟，从而避免了体系放出大量的热导致单质硒的挥发，同时反应能在常压下进行，对设备要求简单，而且合成的硒化铟均为γ相，对选择性合成多种晶相的化合物有一定的指导意义。 |
