一种微细硫化铟粉体及靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110550527.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113213938A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113213938A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | C04B35/547（2006.01）I;C04B35/626（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;C04B35/645（2006.01）I;C01G15/00（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 沈文兴;白平平;童培云;谢小豪 | 申请（专利权）人 | 先导薄膜材料有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 颜希文;朱燕华 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市新站区龙子湖路与通淮南路交口西北角 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种微细硫化铟粉体及靶材的制备方法，所述微细硫化铟粉体的制备方法包括如下步骤：将H2S气体通入In2（SO4）3溶液中，搅拌下反应合成硫化铟，反应结束后，对合成产物进行漂洗、过滤、煅烧、球磨及过筛，得到粒度D90为20～40μm的硫化铟粉体；将硫化铟粉体进行气流粉碎，气流粉碎的加料压力和粉碎压力为8～12kg，加料速度为3～5kg/h的匀速，加料结束后继续通气3～5min，得到D90＜5μm的微细硫化铟粉体。本发明制得的硫化铟粉体为四方结构的β‑In2S3，粒度D90＜5μm，将其用于制备靶材，利于提高靶材的品质，使靶材的平均晶粒度＜5μm，电阻率＜0.5KΩ/cm，相对密度≥97％，杂质含量低，溅射所形成薄膜的稳定性好、厚度分布均匀、及晶粒大小一致。 |
