覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法
基本信息
| 申请号 | CN201810319803.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108493123B | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN108493123B | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘健成;陈清陇 | 申请（专利权）人 | 苏试宜特（上海）检测技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海唯源专利代理有限公司 | 代理人 | 曾耀先 |
| 地址 | 201100 上海市徐汇区宜山路1618号8幢C101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法，其中，本发明覆晶芯片取裸片的制备方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封装于裸片的外部的封装结构，裸片的正面具有锡球；研磨封装结构，直至裸露出裸片正面的锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻裸片的正面，去除裸片正面的锡球、残留的封装结构，达到裸片正面完全开封以得到裸片样品。本发明覆晶芯片取裸片的制备方法不需要用酸煮沸去除封装结构，而是研磨掉封装结构的一部分，再使用淋酸蚀刻的方式去除锡球和裸片正面的封装结构，从而获得裸片，不会造成崩边或裂痕，使用此裸片进行其他实验时，可排除人为因素对裸片的影响，提高了实验准确性，具有优异的技术效果。 |
