GaAs芯片失效分析样品及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110303325.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113075522A | 公开（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申请公布号 | CN113075522A | 申请公布日 | 2021-07-06 |
| 分类号 | G01R31/26（2014.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 殷荣;陈佳妃 | 申请（专利权）人 | 苏试宜特（上海）检测技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海唯源专利代理有限公司 | 代理人 | 季辰玲 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区宜山路1618号8幢C101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种GaAs芯片失效分析样品及制备方法，该制备方法包括步骤：对GaAs芯片的基板进行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；对露出晶背的GaAs芯片进行热点定位，确认失效位置；对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄，使减薄后的厚度满足切割操作厚度；利用红外显微镜对减薄后的GaAs芯片进行扫描并再次确认所述失效位置；根据所述失效位置对减薄后的GaAs芯片进行切割并形成失效分析样品。本发明方法取消了传统化学法解封塑封体，避免了对GaAs芯片的金属走线的破坏，提高了制样成功率并保证了后续的失效分析效果。 |
