一种提高可见光通信中Micro-LED带宽方法
基本信息
| 申请号 | CN201911333564.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111010232A | 公开（公告）日 | 2020-04-14 |
| 申请公布号 | CN111010232A | 申请公布日 | 2020-04-14 |
| 分类号 | H04B10/116(2013.01)I;H04B10/50(2013.01)I | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 吴挺竹;王泽平;陈兵;林岳;刘青青;陈忠;吕毅军;高巨守;刘梦 | 申请（专利权）人 | 越众技术有限公司 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张素斌 |
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高可见光通信中Micro‑LED带宽方法，涉及可见光通信领，包括以下步骤：1)根据Micro‑LED芯片有源区对芯片发光波长的调控机理，构建Micro‑LED芯片光学性能模型；2)根据步骤1)构建的Micro‑LED芯片光学性能模型制备微纳尺度下量子阱层露出的Micro‑LED芯片；3)在步骤2)制备的Micro‑LED芯片的侧壁沉积ALD层；4)在Micro‑LED芯片上沉积量子点，使量子点和侧壁量子阱接触，从而利用非辐射能量转移机制加大载流子复合效率，降低载流子寿命，进而提高Micro‑LED的‑3dB带宽。 |
