一种HDI板深V盲孔的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种HDI板深V盲孔的制作方法

基本信息

申请号	CN202111107250.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113891579A	公开（公告）日	2022-01-04
申请公布号	CN113891579A	申请公布日	2022-01-04
分类号	H05K3/42（2006.01）I;H05K3/00（2006.01）I	分类	其他类目不包含的电技术;
发明人	陈志新;邹金龙;位珍光	申请（专利权）人	宜兴硅谷电子科技有限公司
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	任立
地址	214200江苏省无锡市宜兴市经济开发区庆源大道1-4号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种HDI板深V盲孔的制作方法，包括流程：开料‑内层线路（包括PAD）‑压合‑棕化薄铜‑镭射钻孔‑机械钻孔‑填孔电镀‑树脂塞孔，其中：（1）内层线路时在L3层上设置一个盲孔承接PAD，在L2层上设置一个盲孔限位PAD；（2）镭射钻孔前先进行镭射对位标靶内靶设计，具体为：采用L1‑2‑3的模式进行设计，L1及L3层为全铜皮，L2层上蚀刻出一个0.8mm的圆孔洞；（3）镭射钻孔的操作为：采用激光镭射钻孔，在L1层上先进行开窗烧蚀3.5*3.5mm的台阶孔，直至透过L2层的0.8mm圆孔洞烧蚀至L3层的承接PAD，然后激光镭射钻孔机则自动抓取L2层的圆孔洞进行对位镭射作业；该制作方法简单易行，即可以规避镭射漏阶的质量风险，又能满足跨层镭射L1‑3盲孔电信能质量要求。