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自对准接触制造方法

基本信息

申请号 CN201410584842.6 申请日 -
公开（公告）号 CN105632921B 公开（公告）日 2019-07-02
申请公布号 CN105632921B 申请公布日 2019-07-02
分类号 H01L21/336（2006.01）I; H01L21/68（2006.01）I; H01L21/768（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超 申请（专利权）人 北京中科微投资管理有限责任公司
代理机构 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 陈红
地址 100010 北京市东城区大取灯胡同2号
法律状态 -

摘要

摘要 一种自对准接触制造方法，包括：在衬底上的第一层间介质层中形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极；在金属栅极以及第一层间介质层上形成第二层间介质层；在第二层间介质层上形成位于金属栅极上方的掩模图形；以掩模图形为掩模，依次刻蚀第二层间介质层和第一层间介质层，直至暴露衬底，形成自对准的源漏接触孔。依照本发明的自对准接触制造方法，不对金属栅极凹陷而是直接在其顶部形成保护层，能有效适当放宽关键尺寸和重叠大小的限制，提高了对工艺波动的稳定性和器件可靠性，降低了制造成本和工艺难度。