半导体器件制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410571346.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105590854B | 公开（公告）日 | 2019-07-02 |
| 申请公布号 | CN105590854B | 申请公布日 | 2019-07-02 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超 | 申请（专利权）人 | 北京中科微投资管理有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈红 |
| 地址 | 100010 北京市东城区大取灯胡同2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上依次形成穿通阻挡层以及半导体材料层；在半导体材料层上形成掩膜图形；利用掩膜图形依次刻蚀半导体材料层和穿通阻挡层，直至进入衬底中，在衬底上形成包含了半导体材料层和穿通阻挡层的多个鳍片；在多个鳍片之间的衬底上形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，先形成穿通阻挡层然后外延并刻蚀形成鳍片，通过浓度分布超陡的PTSL层降低了器件的漏电并且改善了器件的短沟道效应，采用兼容主流硅工艺降低了成本、提高了导热性，并且采用高迁移率材料用作沟道区以有效提高器件驱动性能。 |
