半导体器件制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410465366.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105428317B | 公开（公告）日 | 2018-09-18 |
| 申请公布号 | CN105428317B | 申请公布日 | 2018-09-18 |
| 分类号 | H01L21/8238;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孟令款 | 申请（专利权）人 | 北京中科微投资管理有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈红 |
| 地址 | 100010 北京市东城区大取灯胡同2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括：在包含半导体结构的衬底上依次形成线条叠层、硬掩模叠层，所述硬掩模叠层包括至少一个第一硬掩模层和至少一个第二硬掩模层，所述第一硬掩模层包含硅基绝缘材料，所述第二硬掩模层包含非硅基绝缘材料；在硬掩模叠层上形成光刻胶图形；以光刻胶图形为掩模，各向异性干法刻蚀硬掩模叠层形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，各向异性干法刻蚀线条叠层形成精细线条。依照本发明的半导体器件制造方法，采用多层掩模提高了线条的垂直度和刻蚀选择性，提高了线条精度、有效降低了器件尺寸。 |
