自对准接触制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410585105.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105632906B | 公开（公告）日 | 2019-10-29 |
| 申请公布号 | CN105632906B | 申请公布日 | 2019-10-29 |
| 分类号 | H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人 | 北京中科微投资管理有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈红 |
| 地址 | 100010 北京市东城区大取灯胡同2号4号楼1层108室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种自对准接触制造方法，包括：在衬底上的层间介质层中形成金属栅极以及金属栅极两侧的栅极侧墙；自对准刻蚀，去除层间介质层，露出栅极侧墙和源漏极区域；形成接触金属层，覆盖衬底的源漏极区域和金属栅极顶部、以及栅极侧墙侧壁；以及平坦化接触金属层，直至暴露栅极侧墙顶部。依照本发明的自对准接触制造方法，不对金属栅极凹陷而是直接在其顶部形成保护层，能有效适当放宽关键尺寸和重叠大小的限制，提高了对工艺波动的稳定性和器件可靠性，降低了制造成本和工艺难度。 |
