一种钍钨电极及在其表面渗透碳化二钨层的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810099411.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108376638B | 公开（公告）日 | 2020-01-31 |
| 申请公布号 | CN108376638B | 申请公布日 | 2020-01-31 |
| 分类号 | H01J61/04（2006.01）; H01J9/02（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡志国; 黄小琳; 张榜 | 申请（专利权）人 | 深圳凯世光研股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人 | 深圳凯世光研股份有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区西乡兴业路3012号老兵大厦西座二楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种钍钨电极及在其表面渗透碳化二钨层的方法，本发明涉及一种在渗透工艺，为提供一种带均匀、结构呈疏松细层状、厚度增大的碳化二钨层的电极，本发明提供了一种钍钨电极表面渗透碳化二钨层的方法，用乙酸丁酯、乙基纤维素和石墨粉制作涂覆溶液分多次涂覆，采用特殊手段烘干后得到结构为疏松细层状，厚度在60‑80µm的碳化二钨层。本发明的有益效果在于：（1）涂覆溶液安全无毒，制作简单；（2）渗碳操作简单方便；（3）加热时间短；（4）制作的渗碳层成分均为碳化二钨；（5）采用金相显微镜观察渗碳层厚度均匀约为60‑80µm，结构为疏松细层状，该结构有利于发射物质的迁移，提高灯管的寿命和性能。 |
