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一种钍钨电极及在其表面渗透碳化二钨层的方法

基本信息

申请号 CN201810099411.9 申请日 -
公开（公告）号 CN108376638A 公开（公告）日 2020-01-31
申请公布号 CN108376638A 申请公布日 2020-01-31
分类号 H01J61/04;H01J9/02 分类 基本电气元件;
发明人 蔡志国;黄小琳;张榜 申请（专利权）人 深圳凯世光研股份有限公司
代理机构 深圳市千纳专利代理有限公司 代理人 袁燕清
地址 518000 广东省深圳市宝安区西乡兴业路3012号老兵大厦西座二楼
法律状态 -

摘要

摘要 一种钍钨电极及在其表面渗透碳化二钨层的方法，本发明涉及一种在渗透工艺，为提供一种带均匀、结构呈疏松细层状、厚度增大的碳化二钨层的电极，本发明提供了一种钍钨电极表面渗透碳化二钨层的方法，用乙酸丁酯、乙基纤维素和石墨粉制作涂覆溶液分多次涂覆，采用特殊手段烘干后得到结构为疏松细层状，厚度在60‑80µm的碳化二钨层。本发明的有益效果在于：（1）涂覆溶液安全无毒，制作简单；（2）渗碳操作简单方便；（3）加热时间短；（4）制作的渗碳层成分均为碳化二钨；（5）采用金相显微镜观察渗碳层厚度均匀约为60‑80µm，结构为疏松细层状，该结构有利于发射物质的迁移，提高灯管的寿命和性能。