一种掩模基版的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110535823.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113325663A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113325663A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | G03F1/60（2012.01）I;G03F1/68（2012.01）I;C23C14/00（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 车翰宣;张雄哲 | 申请（专利权）人 | 上海传芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201306上海市浦东新区层林路688号1号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种掩模基版的制备方法，该方法包括：提供透明基板；在透明基板上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜；采用硫酸和/或双氧水对防反射膜进行氧化处理，形成防反射膜氧化膜；在防反射膜氧化膜上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；光刻胶为化学放大型光刻胶。 |
