一种L型基区SiCMOSFET元胞结构、器件及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210003560.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114023810A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114023810A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | H01L29/08（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张文渊;马鸿铭;王哲 | 申请（专利权）人 | 北京昕感科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京秉文同创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵星;陈少丽 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区同济中路甲7号18幢5层1单元509 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种L型基区SiC MOSFET元胞结构、器件及其制造方法，包括N++型SiC衬底、N‑型SiC漂移层、P型基区和N+型源区，N‑型SiC漂移层位于N++型SiC衬底上方，其中具有源极沟槽和栅极沟槽，在栅极沟槽中具有栅介质层和栅电极；P型基区和N+型源区位于源极沟槽和栅极沟槽之间的N‑型SiC漂移层上，并自下而上排列，在P型基区与N‑型SiC漂移层之间具有N型电流传导层，P型基区与源极沟槽之间具有源极N+型欧姆接触区。本发明的器件结构能够进一步减小导通电阻和栅漏电容，有利于减小导通损耗和开关损耗，提高工作频率，并能够避免P型基区的提前击穿，保证器件可靠性。 |
