双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111621854.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114005871A | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN114005871A | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张文渊;马鸿铭;王哲 | 申请（专利权）人 | 北京昕感科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京秉文同创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵星;陈少丽 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区同济中路甲7号18幢5层1单元509 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法，结构由多个元胞排列组成，每个元胞具有衬底和漂移层；漂移层上有栅极沟槽和源极沟槽，源极沟槽周围有N型空穴阻挡层和P+型屏蔽层，在源极沟槽中形成源极金属；在漂移层和N型空穴阻挡层顶部形成P型基区，在P型基区和P+型屏蔽层顶部形成N+型源区，N+型源区和源极金属之间等处具有欧姆接触金属层;在栅极沟槽的底面和内侧面等处形成栅极热氧化介质层，栅极热氧化介质层呈腔型，在腔型内形成栅极沉淀介质层和栅电极；栅电极和源极金属之间具有层间介质。该结构能够提高器件的栅极介质层可靠性，减小导通电阻，从而降低导通静态损耗，减小栅漏电容和栅极电荷，从而降低开关动态损耗。 |
