一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块

基本信息

申请号	CN202120578193.4	申请日	-
公开（公告）号	CN214378401U	公开（公告）日	2021-10-08
申请公布号	CN214378401U	申请公布日	2021-10-08
分类号	H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张豫川;钟星立;龙海洋	申请（专利权）人	中冶赛迪工程技术股份有限公司
代理机构	北京同恒源知识产权代理有限公司	代理人	阴知见
地址	400013重庆市渝中区双钢路1号
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块，集电极金属层和发射极金属层之间IGBT子模块包括从上到下依次压接的集电极梯度功能复合材料层、IGBT功率芯片、发射极梯度功能复合材料层、铜底座和栅极PCB板，压接后的IGBT子模块外套装封装外壳支架，压接后发射极梯度功能复合材料层和铜底座的缺口内放置有栅极弹簧顶针，集电极梯度功能复合材料层与集电极金属层和IGBT功率芯片集电极表面以及发射极梯度功能复合材料层与IGBT功率芯片的发射极表面和铜底座的热膨胀系数相匹配，解决现有压接型IGBT功率模块中IGBT功率芯片与封装材料组件间热膨胀系数不匹配导致组件界面电热接触性能下降、散热效率降低、器件使用寿命缩短的问题。