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基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺

基本信息

申请号	CN201410126232.1	申请日	-
公开（公告）号	CN103840008A	公开（公告）日	2014-06-04
申请公布号	CN103840008A	申请公布日	2014-06-04
分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	胡浩;宁小霖	申请（专利权）人	成都立芯微电子科技有限公司
代理机构	北京天奇智新知识产权代理有限公司	代理人	郭霞
地址	610041 四川省成都市高新区肖家河中街43号6幢1层
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺，高压LDMOS器件包括衬底，衬底为N型衬底，N型衬底上为P型埋层，P型埋层上为N型薄外延层，N阱位于N型薄外延层的一侧，N阱靠近多晶硅的一侧为被场氧化层覆盖的P型轻掺杂顶层，另一侧为N型注入层，N型注入层向上延伸至漏极，P阱位于N型薄外延层的另一侧，P阱的中上部为p型场区，p型场区上有短接N型注入层和短接P型注入层，短接N型注入层和短接P型注入层的连接处向上延伸至源极，N阱和P阱的连接处有栅极氧化层，栅极氧化层上为多晶硅，多晶硅外接栅极。本发明所述LDMOS器件的耐压区长度较小，能在保证击穿电压不变的条件下大幅度减少器件的导通电阻。