一种BCD集成工艺
基本信息
| 申请号 | CN201410127091.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103871970A | 公开（公告）日 | 2014-06-18 |
| 申请公布号 | CN103871970A | 申请公布日 | 2014-06-18 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡浩;宁小霖 | 申请（专利权）人 | 成都立芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭霞 |
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区肖家河中街43号6幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种BCD集成工艺，包括以下步骤：选择N型轻掺杂厚外延衬底；在N型厚外延衬底上形成P型埋层；在P型埋层上生长N型薄外延层；N阱注入；P阱注入；推阱和场氧生长；注入、退火形成P型轻掺杂顶层；或者，注入、退火形成p型场区；栅氧生长；多晶硅栅形成；源漏形成。采用本发明所述工艺制作CMOS、DMOS器件和寄生PNP晶体管器件，可降低器件的导通电阻，提升产品性能，还可以节省横向的耐压长度，从而节省芯片面积，降低制造成本，并能实现VDMOS与LDMOS的并联使用。 |
