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一种用于半导体分立器件的综合老化试验箱

基本信息

申请号 CN202011073978.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112379237A 公开（公告）日 2021-02-19
申请公布号 CN112379237A 申请公布日 2021-02-19
分类号 G01R31/26(2014.01)I; 分类 测量；测试;
发明人 谢斌;史建军 申请（专利权）人 安徽晶谷周界微电子股份有限公司
代理机构 合肥广源知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 汪纲
地址 233000安徽省蚌埠市财院路10号106号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及分立器件老化试验技术领域，具体涉及一种用于半导体分立器件的综合老化试验箱，包括试验箱底台，试验箱底台的底端面通过螺栓固定有若干个可调脚，试验箱底台的上端固定有老化试验箱本体，老化试验箱本体包括上箱体和下箱体，上箱体的内部设有控制室及两个第一腔体，控制室的内部安装有控制箱，且其前端安装有固定门板，固定门板的正面设置有显示屏、工作状态指示区及控制按键区，两个第一腔体的前端均通过铰链安装有上密封门；下箱体的内部开设有两个第二腔体，且两个第二腔体的前端均通过铰链安装有下密封门；本发明可带动老化座做顺时针及逆时针往复转动，从而使得半导体分立器件受热更加均匀，得到的老化试验数据也更加精确。