发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN201910227533.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110010728A | 公开（公告）日 | 2019-07-12 |
| 申请公布号 | CN110010728A | 申请公布日 | 2019-07-12 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王思博;简弘安;刘宇轩 | 申请（专利权）人 | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭玮;李双皓 |
| 地址 | 116051 辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，当所述侧壁具有多个所述斜面时，所述侧壁的面积越大，从而所述侧壁面出光就会越多。同时，当所述侧壁具有多个所述斜面时，内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多，会增加取光，提高发光二极管芯片的亮度。多个所述斜面形成不同形貌的所述侧壁，可以使内部光线入射到所述侧壁产生不同的入射角，可以有更多的光取出，能够避免较多全反射。同时，通过所述发光二极管芯片的制备方法制备获得所述隔离槽的所述侧壁的相邻所述斜面之间的角度为正角，当后续制作的绝缘层可披覆在所述隔离槽上，进行较好的绝缘。 |
