倒装发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN201920822971.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210429862U | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN210429862U | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘岩;闫宝玉;刘鑫;鲁洋;刘宇轩;陈顺利 | 申请（专利权）人 | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 地址 | 116051 辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种倒装发光二极管芯片，在倒装发光二极管芯片的四周边缘位置设置N型金属电极层，在倒装发光二极管芯片中间部分设置P型金属电极层。即使倒装发光二极管芯片边缘的绝缘层破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。同时，通过发光层、P型半导体层以及P极金属层设置于倒装发光二极管芯片中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘，解决了传统倒装LED芯片的P电极N电极容易短路、无隔离槽设计的漏电风险。从而可有效降低漏电风险，提高了产品工作可靠性，提升产品良率。 |
