发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN201910228015.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110010733B | 公开（公告）日 | 2019-07-12 |
| 申请公布号 | CN110010733B | 申请公布日 | 2019-07-12 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王思博;孟芳芳;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 | 申请（专利权）人 | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 地址 | 116051辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，通过所述发光二极管芯片的制备方法对所述电流扩展层低温氮气退火及高温氮气快速退火两次退火，实现对所述电流扩展层结构的改善及与所述P型半导体层的欧姆接触。所述电流扩展层的优化降低了所述电流扩展层对光的散射及增加所述电流扩展层内载流子浓度，实现对所述电流扩展层的透过率的提升及阻值的降低，从而实现对LED的亮度提升及电压降低，最终提高LED效率。 |
