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发光二极管芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN201810963017.5 申请日 -
公开（公告）号 CN109192833B 公开（公告）日 2019-01-11
申请公布号 CN109192833B 申请公布日 2019-01-11
分类号 H01L33/24(2010.01)I 分类 -
发明人 刘珊珊;宋林青;廖汉忠;陈顺利;丁逸圣 申请（专利权）人 大连德豪光电科技有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 大连德豪光电科技有限公司
地址 116051辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法。所述发光二极管芯片的制备方法包括以下几步。第一步，提供一衬底。第二步，在所述衬底表面通过黄光制程制备出多个凸形结构。第三步，垂直于所述衬底表面生长外延层，覆盖所述多个凸形结构。所述外延层包括第一半导体层、活性层和第二半导体层，所述第一半导体层包裹所述凸形结构。第四步，利用光刻方法制备出待刻蚀图形。第五步，利用干法刻蚀沿所述待刻蚀图形刻蚀所述外延层，形成间隔设置的多个发光二极管芯片，相邻所述发光发光二极管芯片之间的所述凸形结构露出。第六步，通过湿法刻蚀去除所述多个间隔设置的所述发光二极管芯片之间的所述凸形结构。