LED高压芯片及其制备方法、隔离槽的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

LED高压芯片及其制备方法、隔离槽的制作方法

基本信息

申请号	CN201811496213.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111293200A	公开（公告）日	2020-06-16
申请公布号	CN111293200A	申请公布日	2020-06-16
分类号	H01L33/44(2010.01)I	分类	-
发明人	宋林青;廖汉忠;刘珊珊;李士涛;赵洋;丁逸圣;陈顺利;孙日敏	申请（专利权）人	大连德豪光电科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	大连德豪光电科技有限公司
地址	116051辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种LED高压芯片及其制备方法、隔离槽的制作方法。所述隔离槽的制作方法包括：提供包括衬底以及设置于衬底上的发光半导体层的LED芯片主体；在发光半导体层上形成设有贯穿的第一开口的第一阻挡层和设有贯穿的第二开口的第二阻挡层，第一开口的侧边与衬底之间的倾斜角小于第二开口的侧边与衬底之间的倾斜角，且第一开口和第二开口并列设置；刻蚀发光半导体层，形成隔离槽，隔离槽包括第一槽体和第二槽体，第一槽体的侧壁与衬底之间的倾斜角小于第二槽体的侧壁与衬底之间的倾斜角。本发明通过一次刻蚀工艺即可在隔离槽的不同位置实现不同的角度需求，可以节约30％左右的成本。同时，可使LED高压芯片的发光面积增大10％～30％，亮度提升5％左右。