发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910871335.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112510133A | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN112510133A | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘珊珊;纪思美;陈顺利;李士涛 | 申请（专利权）人 | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 傅康 |
| 地址 | 116051辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。本申请提供的所述发光二极管芯片的亮度较高。 |
