一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202110027707.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112881882A | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN112881882A | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | G01R31/28;H01L21/66 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 黄寓洋 | 申请（专利权）人 | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王锋 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置，所述方法包括：测试芯片的总电容，测试芯片内部的Pad寄生电容，测试芯片的有源区电容，根据总电容、Pad寄生电容和有源区电容，计算芯片的爬坡寄生电容。本发明可以有效地计算出芯片的爬坡寄生电容，从而可以对该电容进行具体调整，进而减小该电容对高速芯片带宽的影响。 |
