一种用于半导体芯片扩膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110191989.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112967999A | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN112967999A | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L21/78（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 阮文静;黄寓洋 | 申请（专利权）人 | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王锋 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种用于半导体芯片扩膜的制备方法，包括：提供第一扩膜环、第二扩膜环和待扩晶圆；取蓝膜固定在所述第一扩膜环上，绷紧后，并在绷好蓝膜的中心区域掏空一个大于待扩晶圆的圆环；在第二扩膜环上固定有放置待扩晶圆的第二蓝膜，并对待扩晶圆进行切割，切割好芯片后，沿第二扩膜环内四周切去多余的第二蓝膜，并去除第二扩膜环；将去除第二扩膜环的芯片放在底部，同时，将掏好圆环的第一扩膜环盖在上面，使第一扩膜环的中心与芯片中心重合，并将重叠的蓝膜和第二蓝膜进行粘结，获得半成品；将半成品放置于扩膜机上扩膜，得到扩膜好的半导体芯片。本发明提供的用于半导体芯片扩膜的制备方法，能将尺寸小的铁环扩膜到尺寸大的扩晶环。 |
