一种异形半导体晶片及其制备方法

基本信息

申请号 CN201510240946.X 申请日 -
公开(公告)号 CN104952701B 公开(公告)日 2018-07-10
申请公布号 CN104952701B 申请公布日 2018-07-10
分类号 H01L21/02;H01L29/06 分类 基本电气元件;
发明人 王元立;刘文森;刘继斌;古燕;刘英伟 申请(专利权)人 保定通美晶体制造有限责任公司
代理机构 北京北翔知识产权代理有限公司 代理人 北京通美晶体技术有限公司;保定通美晶体制造有限责任公司
地址 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法,其中所述方法包括以下步骤:(1)由一种晶棒切割出晶片;(2)对晶片进行表面研磨加工;(3)将晶片解理成异形晶片;(4)对异形晶片进行磨边处理;(5)对晶片进行粗抛光,然后进行精抛光,其中将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上,支撑物无异形晶片的一侧固定至抛光机的上盘,其中所述支撑物为刚性的平板。还任选对精抛后的异形晶片进行表面清洗处理。