一种异形半导体晶片及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201510240946.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104952701B | 公开(公告)日 | 2018-07-10 |
申请公布号 | CN104952701B | 申请公布日 | 2018-07-10 |
分类号 | H01L21/02;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 王元立;刘文森;刘继斌;古燕;刘英伟 | 申请(专利权)人 | 保定通美晶体制造有限责任公司 |
代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京通美晶体技术有限公司;保定通美晶体制造有限责任公司 |
地址 | 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法,其中所述方法包括以下步骤:(1)由一种晶棒切割出晶片;(2)对晶片进行表面研磨加工;(3)将晶片解理成异形晶片;(4)对异形晶片进行磨边处理;(5)对晶片进行粗抛光,然后进行精抛光,其中将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上,支撑物无异形晶片的一侧固定至抛光机的上盘,其中所述支撑物为刚性的平板。还任选对精抛后的异形晶片进行表面清洗处理。 |
