一种双向液态源蒸发CVD系统
基本信息
| 申请号 | CN202010953796.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112342527A | 公开（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申请公布号 | CN112342527A | 申请公布日 | 2021-02-09 |
| 分类号 | C23C16/448(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 孔令杰;李晓丽 | 申请（专利权）人 | 安徽贝意克设备技术有限公司 |
| 代理机构 | 合肥正则元起专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘生昕 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市高新区科学大道110号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双向液态源蒸发CVD系统，包括蒸发装置主体，所述蒸发装置主体的上方安装有加热炉和石英外管；双向液态源蒸发CVD系统是通过双向双回路的方式，将液态源蒸发后的汽态源分别从第一进出座和第二进出座分次输入，通过第一进出座和第二进出座的输入保证沉积内管中汽态源充分留存，能够充分反应；将保护气体通过预热装置预热到液态源蒸发温度，保护石英外管内部的汽态源不会遇冷后凝固，通过触摸屏控制加热炉在滑轨上左右横向移动，可快速定位沉积内管中材料沉积区并进行快速加温，使得沉积区的材料受热变成汽态；此法相对一般工艺而言液态源蒸发成汽态更纯，裂解后杂质少，所制得的薄膜或材料质量更高。 |
