多层单元非易失性存储器的一种编程方法
基本信息
| 申请号 | CN202011095110.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201293A | 公开（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申请公布号 | CN112201293A | 申请公布日 | 2021-01-08 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 耿志远;陈惕生 | 申请（专利权）人 | 本征信息技术（上海）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢206室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了多层单元存储器的一种编程方法。在编程脉冲步骤中，根据单元目标状态或目标状态和当前状态调整单元的有效编程脉冲的时间，以降低编程所需要的编程脉冲步骤的数量，提高编程效率。本发明还提供了一种适用于多层单元NAND闪存的通过改变位线电压进行部分编程抑制，进而调整单元的有效编程脉冲的时间的方法。 |
