多层单元NAND闪存的一种操作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910756167.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110364209A | 公开（公告）日 | 2019-10-22 |
| 申请公布号 | CN110364209A | 申请公布日 | 2019-10-22 |
| 分类号 | G11C16/26;G11C16/10 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 陈惕生;耿志远 | 申请（专利权）人 | 本征信息技术（上海）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢206室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了多层单元NAND闪存的一种操作方法。在一次感测操作中，通过调整NAND串的源极电压以改变待测单元的栅极电压与源极电压的电压差，并检查NAND串的导通情况，可以判断待测单元阈值电压与该电压差的大小关系。在读取数据操作中，根据多次上述感测操作的比较结果，可以确定待测单元中存储的待读数据比特。与不同位线相连的NAND串连接至可独立调整的源极信号，因而可以实现与待测单元状态有关的感测，包括基于调整源极电压的二分串行感测。在编程操作的校验步骤中，可根据目标值调整每个位线对应的源极信号电压，只需一次感测操作，即可完成校验。 |
