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一种多层单元NAND闪存

基本信息

申请号 CN201921361291.1 申请日 -
公开（公告）号 CN210052532U 公开（公告）日 2020-02-11
申请公布号 CN210052532U 申请公布日 2020-02-11
分类号 G11C16/26;G11C16/10 分类 信息存储;
发明人 陈惕生;耿志远 申请（专利权）人 本征信息技术（上海）有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201203 上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢206室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种多层单元NAND闪存，与不同位线连接的NAND串连接至不同的源极线，源极线连接至对应的源极电压选择器，所有的源极电压选择器的电压输入端连接至一个或多个源极电压生成器。源极电压选择器的输入参数端可连接至对应的位线感测电路的锁存器模块。