一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法
基本信息
| 申请号 | CN201510174430.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104836103A | 公开（公告）日 | 2015-08-12 |
| 申请公布号 | CN104836103A | 申请公布日 | 2015-08-12 |
| 分类号 | H01S3/098(2006.01)I;H01S3/11(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 鲍桥梁;李绍娟;陈瑶;沐浩然;李鹏飞;甘胜 | 申请（专利权）人 | 广州烽辰智能科技中心（有限合伙） |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 夏海天 |
| 地址 | 510289 广东省广州市海珠区南洲路183号二层B79房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，这种方法将机械剥离法得到的二维层状黑磷，或者是超声震荡得到的分布在酒精溶液里的二维层状黑磷，通过定向转移的方法沉积到光纤头上，作为器件的可饱和吸收层。本发明所涉及的定向转移的方法，可以有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移的问题，提高了饱和吸收体制备的成功率。采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段激光器的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用。 |
