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一种氮化镓半导体生产用的单晶炉

基本信息

申请号 CN202023235916.5 申请日 -
公开（公告）号 CN214458451U 公开（公告）日 2021-10-22
申请公布号 CN214458451U 申请公布日 2021-10-22
分类号 C30B29/40;C30B35/00 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 鲁煜;王祎;刘玉良;姜经理;谭大胜 申请（专利权）人 浙江中电环境科技有限公司
代理机构 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） 代理人 王家蕾
地址 314000 浙江省嘉兴市秀洲新区京润大厦10楼1010室-2
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，包括固定框、单晶炉本体、抽气口、搅拌轴和伺服电机，所述固定框的内部通过轴承安装有单晶炉本体，且单晶炉本体的内部设置有加热管，所述单晶炉本体的底端开设有下料槽，所述固定框顶端通过轴承安装有贯穿单晶炉本体的第一转轴，且第一转轴的外壁皆设置有搅拌轴，所述第一转轴的外壁设置有第一锥形齿轮，所述单晶炉本体的外壁设置有第二锥形齿轮，所述固定框的内侧通过轴承安装有第二转轴。该氮化镓半导体生产用的单晶炉，通过第三锥形齿轮带动第二锥形齿轮相啮合，进而第二锥形齿轮带动单晶炉本体与第一转轴异向转动，便于对单晶炉本体内材料充分搅拌，调高了搅拌效率。