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温漂自补偿SOI压力传感器

基本信息

申请号 CN201910763759.8 申请日 -
公开（公告）号 CN111076856B 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN111076856B 申请公布日 2021-09-21
分类号 G01L9/00（2006.01）I;G01L19/04（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 刘同庆 申请（专利权）人 无锡芯感智半导体有限公司
代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司 代理人 李明
地址 214000江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢1层1827
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。本发明结构紧凑，实现温漂自补偿，降低成本，稳定性高，一致性好，适合批量生产，适应范围广，安全可靠。